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比腾e)Sb2Se3/In2S3-CdS核/壳纳米棒的HAADF-STEM图像和EDS元素分布图。讯老能级调节使Sb2Se3太阳能电池中缓冲层/Sb2Se3和缓冲层/ZnO层界面的开路电压亏损最小化。

图4表面化学分析a)分别涂覆Cd、干妈In2S3-Cd复合材料和In2S3缓冲层的Sb2Se3 NRAs表面的Cd3d、In3d和S2p的XPS峰。Sb2Se3/缓冲纳米棒阵列结界面的梯度带结构、事件短波长的高透过率和低复合光生载流子是提高效率的原因。还离f)Sb2Se3/In2S3-CdS核/壳纳米棒的线扫描。

因此，真正战基于In2S3-CdS复合缓冲层的Sb2Se3纳米棒阵列太阳能电池的效率高达9.19%，VOC为461mV。这种独特的一维晶体结构不仅导致了键的各向异性，比腾而且在光学、电学和缺陷特性方面也有强烈的各向异性。

讯老c)不同缓冲层的光学透射光谱。

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